集成電路用基板、太陽能電池用基板的薄片狀產品的切割制備，采用多線切割原理，用鋼絲帶動由碳化硅磨料構成的砂漿對高純度的單晶硅或多晶硅棒進行切割。在切割硅棒為硅片的同時也產生了一定量的硅屑，隨著切割過程的進行，混入切割液中的硅屑越來越多，使砂漿的切割性能降低，導致獲得的硅片精度惡化，硅屑的產生不僅影響了切割液的使用，還使硅棒的使用率下降。作為戰略資源，在我國高純度硅的百分之95需要進口，其主要原因是我國還無法規模化將工業硅加工成高純度的多晶硅。而廢的切割砂漿里面混有百分之8～9（重量）的高純硅粉料，在硅棒切割加工過程中高純硅棒的切割損失率高達百分之40（重量），這也是硅片成本高居不下的原因之一。
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